在2012年中国国际信息通信展上，记者发现TD-LTE在TD-SCDMA奠定的技术、产业基础上快速发展，已经构建起以我国企业为主、国际厂商广泛支持的端到端产业链。终端芯片方面，已有超过17家国内外知名企业投身TD-LTE产业，其中Marvell、创毅视讯、中普微电子、展讯、联芯科技等厂商在本届展会上推出了一系列支持TD-LTE的芯片产品。此前，多模芯片的开发，单芯片解决方案的推出，28nm工艺的实现等一直是TD-LTE终端产品开发的技术瓶颈，在本届展会上可以发现，随着芯片厂商的努力，相关难点正在逐步被攻克，TD-LTE商用化的脚步正逐渐临近。
多模芯片为展示重点
TD-LTE技术在未来移动通信领域，特别是移动宽带领域有广阔的发展前景，全球很多运营商都对TD-LTE技术表现出非常大的兴趣。TD-LTE的成功需要三大要素，即网络、终端和内容应用，而芯片又是终端产品的核心。为了满足不同运营商在LTE网络引入后对语音业务支持的要求，芯片需要支持语音解决方案，由于LTE不承载语音业务，语音通讯是下放到2G、3G来解决的，因此必须采用多模芯片。多模芯片也就成为TD-LTE发展的重点。
本届展会上，各家芯片厂商也把着力点放在TD-LTE多模芯片的展示上。在TD产业联盟的展台上，展讯展示了一款其开发的TD-LTE芯片SC9610。该单产品采用40nmCOMS工艺，在单芯片内集成多模标准，包括多频段的TD-LTE和TD-SCDMA，以及EDGE/GS/GPRS，达到100Mbps下行速度和50Mbps上行速度，支持5M、10M、15M及20MHz信道带宽和2×2MIMO，可用于高端智能手机和数据卡。此外，重邮信科也展出了支持TD-LTE/TD-SCDMA/EDGE的多模终端解决方案C8310。联芯展出了支持TD-LTE/LTEFDD/TD-HSPA/GGE的多模终端解决方案等。
对此，MARVELL移动产品全球副总裁李春潮表示，多模芯片、多模平台是一个趋势。当然这个平台的实现还有很多挑战，如果想把多模产品做好，仅把一些IP堆起来是很难实现的，这样的话芯片面积就会很大，功耗也会增加。所以一定要进行优化，不同的模有一些可以复用。
单芯片成发展趋势
多模LTE智能手机一般需要配备3G芯片和LTE基带芯片，这样的架构为功耗优化带来很大挑战。系统集成的单芯片将是重要的解决方案，这方面产品的开发也考验着企业的能力。
对此，中普微电子销售副总裁许飞表示，不管2G、3G，最后都会走上单芯片这条路，一款手机体积有限，芯片尺寸将是重要考量，因此必然向单芯片化发展。李春潮也指出，多模芯片要想做得好，不能光把不同的IP堆出来。目前，市场上也有越来越多的厂商致力于开发单芯片产品，如MARVELL在本届展会上展出的PXA1802，即为TD-LTE5模单芯片，可以同时支持语音和数据双连接的方案。
28nm工艺明年成熟
工艺是影响TD-LTE芯片功耗的关键，业界认为TD-LTE芯片较为适用28nm工艺，而目前这一工艺尚未成熟。28nm甚至是比14nm更高的半导体制程节点，可使芯片设计面积和相关功耗得以降低。
对此，许飞指出，TD-LTE具有的高速数量吞吐能力，使其功耗会更大，所以芯片的生产工艺应该往28nm方向发展。未来手机传输的数据量将越来越多，对待机的时长也会提出更高要求，如果吞吐量大幅提高，功耗也会大幅提升。
目前越来越多的厂商已注意到这一趋势，比如联芯在其技术演进路标中指出，计划在2012年采用A9双核，主频达到1.2GHz，芯片工艺实现40nm;2013年采用A15双核和A15四核，主频达到2.0GHz，芯片工艺实现28nm;到2014年将采用A15四核处理器，主频达到2.5GHz，芯片工艺实现22nm。
李春潮也表示，如果4G产品实现单芯片的话，28nm确实是一个比较好的工艺。当然不是说用40nm就无法实现单芯片，不过芯片功耗会较高，尺寸也会比较大。
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