Vishay发布采用热增强型封装的单路12V器件SiA447DJ产品系列

　　Innovasic 宣布针对高性能设备级环网(DLR)网络推出全新工业以太网交换机fido2100。低达100 µs的DLR信标率能够支持不到10ms的故障恢复和环网恢复时间。主处理器通过介质无关接口(MII)连接到三个交换机端口中的一个以实现以太网通信，同时也可连接到用于配置和状态控制的处理器总线。C语言库支持包可以简化交换机集成，使其适用于任何一类处理器。

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封装、高度0.8mm的单片30V器件---Si5429DU，扩充其TrenchFET® Gen III系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点，在4.5V下具有相应外形尺寸产品中最低的导通电阻。

　　12V SiA447DJ采用超小尺寸的PowerPAK SC-70封装，在4.5V下的导通电阻为13.5mΩ，比最接近的同档器件低12%，在2.5V、1.8V和1.5V下的导通电阻为19.4mΩ、35mΩ和71mΩ。30V Si5429DU是首款采用3mm x 1.8mm尺寸规格的Gen III P通道MOSFET，在4.5V下的导通电阻为22mΩ，比最接近的竞争器件低35%，在10V下具有业内较低的15mΩ导通电阻。

　　SiA447DJ和Si5429DU可以在智能手机、平板电脑和移动计算设备等便携式电子产品的电源管理应用中用做电池管理或负载开关。MOSFET的小尺寸封装可在这些产品中节约PCB空间，其低导通电阻能够减少导通损耗，进而减少功耗并延长两次充电间的电池寿命。MOSFET的低导通电阻还意味着负载开关上的电压降更低，可防止有害的欠压锁定现象。

　　Si5429DU的电压等级达到30V，可用于采用多芯锂离子电池的终端产品，SiA447DJ可用在尺寸和更低导通电阻是关键考虑因素的场合。另外，SiA447DJ能够在1.5V下导通，可与手持设备中常见的更低电压的栅极驱动和更低的总线电压配合工作，节省电平转换电路的空间和尺寸。

　　SiA447DJ和Si5429DU进行了100%的Rg测试，符合RoHS，无卤素。如果需要更多信息，以便为您的应用选择合适的TrenchFET Gen III P沟道MOSFET。

　　新的SiA447DJ和Si5429DU TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

　　fido2100支持IEEE 802.3标准，Layer 2交换机则符合IEEE 802.1D标准。该交换机除了支持环网，还支持星型、线型和树形拓扑结构。该设备采用短径转发，可迅速将流量从一个端口传送到另一个端口，从而实现数据包延迟最小化。

　　fido2100还支持IEEE 1588 v2精确时钟协议(PTP)，可同时支持普通和透明时钟。无论是普通的主时钟，还是子钟，都可以在终端设备上运行，而透明时钟的精度达到5 ns。交换机的双输入口可以使外部活动与系统时间同步，而单一输出口则提供每秒脉冲时基。第三方精确时钟协议栈可用于该交换机，同时有一个C语言库可供使用，支持CIPSync。

　　Innovasic首席技术官Jordon Woods表示：“fido2100工业以太网交换机及其辅助软件帮助开发人员迅速地将基于信标的设备级环网和IEEE 1588添加到他们的产品中，并可有效节约成本。”

　　工程样品现可采用128引脚的LQFP和BGA封装。2013年1月开始量产。