2012 年 9 月 12日，北京讯，加州圣何塞讯——赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票代码：CY)日前推出了 16-Mbit 非易失性静态随机访问存储器 (nvSRAM) 系列，其中包括具备同步NAND 闪存接口的器件。该系列是业界首款可直接与开放式 NAND闪存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 总线控制器相连接的非易失性 SRAM 存储器。16-Mbit 系列扩展了赛普拉斯的 nvSRAM 产品系列，从而充分满足了企业系统固态硬盘 (SSD)、高端可编程逻辑控制器 (PLC)、存储系统高速数据/错误日志和网络设备的需求。
16-Mbit nvSRAM 的存取时间低至 仅25 ns，使其成为市场上速度最快的异步非易失性 RAM。此外，全新器件还提供了可选的集成实时时钟 (RTC)，这是同类竞争解决方案所不具备的特性。RTC 功能可用于给重要的数据打上时间标记，以便记录。赛普拉斯的 nvSRAM 支持无限次读，写和恢复(recall)周期，数据保留时间长达 20 年，使其成为面向需要连续高速数据写入和绝对非易失性数据安全性应用的业界最佳解决方案。
赛普拉斯非易失性产品业务部副总裁 Babak Taheri 指出：“全新 16-Mbit 系列产品超越了速度、密度和性能的极限，同时还保持了我们 nvSRAM 产品系列标志性的出色可靠性。同步 NAND 接口为赛普拉斯 nvSRAM 开辟了多个全新的市场，扩展了我们整体非易失性解决方案的广度和灵活性。”
ONFI NAND 接口 nvSRAM 支持 ONFI 3.0 NV-DDR 接口 (100MHz) 和 ONFI 3.0 NV-DDR2 接口 (200MHz)。Toggle NAND 接口 nvSRAM 与 Toggle 2.0 NAND 控制器兼容，支持 DDR 工作在200MHz。
ONFI 和 Toggle 版本都能支持 x8 和 x16 数据总线宽度的单通道工作，同时也支持 x8 位数据总线宽度的双通道和四通道工作，可实现每秒高达 4 亿次的事务处理。
关于赛普拉斯 nvSRAM
赛普拉斯的 nvSRAM 所使用的电荷来自外部电容而非电池，从而使产品更适用于标准印刷电路板 (PCB) 组装工艺。赛普拉斯的 nvSRAM 符合 ROHS 标准，可直接取代 SRAM、电池备份的 SRAM (BBSRAM) 和 EEPROM 器件，并支持快速非易失性数据存储功能。断电时，可将数据自动从 SRAM 传送到器件的非易失性元件中。加电时，数据又从非易失性存储器恢复到 SRAM 上。nvSRAM可实现高速数据传输，同时在断电时无需电池就能确保数据的完整性，从而充分满足计量、工业、汽车和 RAID 应用的需求。
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