1.MB芯片定义与特点
定义：
MB芯片：MetalBonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专利产品
特点：
1、采用高散热系数的材料---Si作为衬底，散热容易。
ThermalConductivity
GaAs:46W/m-K
GaP:77W/m-K
Si:125～150W/m-K
Cupper:300~400W/m-k
SiC:490W/m-K
2、通过金属层来接合(waferbonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.
3、导电的Si衬底取代GaAs衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍)，更适应于高驱动电流领域。
4、底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。
5、尺寸可加大﹐应用于Highpower领域﹐eg:42milMB
2.GB芯片定义和特点
定义：
GB芯片：GlueBonding(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专利产品
特点：
1：透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS(Absorbablestructure)芯片的2倍以上，蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。
2：芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图。
3：亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。
4：双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。
3.TS芯片定义和特点
定义：
TS芯片：transparentstructure(透明衬底)芯片，该芯片属于HP的专利产品。
特点：
1.芯片工艺制作复杂，远高于ASLED。
2.信赖性卓越。
3.透明的GaP衬底，不吸收光，亮度高。
4.应用广泛。
4.AS芯片定义与特点
定义：
AS芯片：Absorbablestructure(吸收衬底)芯片，经过近四十年的发展努力，台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段，各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平，差距不大。大陆芯片制造业起步较晚，其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距，在这里我们所谈的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg:712SOL-VR,709SOL-VR,712SYM-VR,709SYM-VR等。
特点：
1.四元芯片，采用MOVPE工艺制备，亮度相对于常规芯片要亮。
2.信赖性优良。
3.应用广泛。
发光二极管芯片材料磊晶种类
1、LPE：LiquidPhaseEpitaxy(液相磊晶法)GaP/GaP
2、VPE：VaporPhaseEpitaxy(气相磊晶法)GaAsP/GaAs
3、MOVPE：MetalOrganicVaporPhaseEpitaxy(有机金属气相磊晶法)AlGaInP、GaN
4、SH：GaAlAs/GaAsSingleHeterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5、DH：GaAlAs/GaAsDoubleHeterostructure，(双异型结构)GaAlAs/GaAs
6、DDH：GaAlAs/GaAlAsDoubleHeterostructure，(双异型结构)GaAlAs/GaAlAs
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