秋季IDF 2011展上将现新型多die面朝下内存封装技术

　　Tessera Technologies, Inc.旗下全资子公司Invensas Corporation今天宣布，将在本月中旬的开关电源模块Intel举办旧金山秋季IDF 2011上展示自己的新型多die面朝下MTD2002内存封装技术“xFD”，比传统的双die封装形式(DDP)更进一步。也许在未来的某一天，我们将能够看到只有两颗乃至一颗开关电源模块芯片的MTD2002内存条了。

　　xFD全称multi-die face-down，是一种基于焊线(wirebond)的多die封装技术，将多颗开关电源模块DRAM IC以面朝下的方式封装在一颗MTD2002芯片内，并采用类似windows-BGA封装的短焊线结构，号称：

　　- 提升容量，整体元件尺寸比传统方案缩小25-35%，主要是垂直高度大大降低;

　　- 增强电气性能，同时因为上下开关电源模块die性能均衡而可将良品率提升50-70%;

　　- 比传统双die封装(DDP)热传输效率提升20-30%。

　　xFD技术现在有两种形式，一是“DFD”(Dual Face Down)，MTD2002单芯片封装两颗开关电源模块x4/x8/x16 DRAM die，其中x4/x8版本采用104 BGA封装，尺寸11.5×11.5毫米，x16版本采用136 BGA封装，尺寸11.5×11.5毫米或者11.5×14毫米。

　　二是“QFD”(Quad Face Down)，单芯片封装四颗x8/x15 DRAM die，256 BGA封装，尺寸16.2×16.2毫米。

　　如果你担心这种封装下的MTD2002内存性能的话，Invensas公司宣称其可在开关电源模块2133MHz高频率下运行，而且经过了完全MTD2002调试和认证。

　　Invensas xFD封装技术主要面向MTD2002服务器、数据中心、笔记本和其它开关电源模块移动设备，但何时能够出现在开关电源模块市面上还不得而知。