BJT开关速度受到限制的原因主要是由于BJT基区内存储电荷的影响，电荷的存入和消散需要一定的时间。
考虑到负载电容CL的影响后基本反相器将成为如下图所示的电路
。图中CL包含了门电路之间的接线电容以及门电路的输入电容。
当反相器输出电压vO由低向高过渡时 ，电路由VCC通过Rc对CL充电。
当vO由高向低过渡时，CL又将通过BJT放电。
这样，CL的充、放电过程均需经历一定的时间，这必然会增加输出电压vO波形的上升时间和下降时间。特别是CL充电回路的时间常数RcCL较大时，vO上升较慢，即增加了上升时间。
基于器件内部和负载电容的影响 ，导致基本BJT反相器的开关速度不高。
寻求更为实用的TTL电路结构，是下面所要讨论的问题。
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