恩智浦稳压器NXP Semiconductors N.V.宣布,其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面找到了最佳平衡点,并且具有行业最低的RDS (on) (25V和30V均为亚1 mΩ级),是高性能、高可靠性开关应用的理想之选。传统方法主要着眼于降低RDS (on) 和Qg,而恩智浦NextPower则采用超结技术来优化低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 与Qgd之间的平衡,从而实现强大的开关性能,减少漏极输出与源极引脚之间的损耗,同时提供卓越的SOA性能。此外,恩智浦LFPAK作为最坚固的Power-SO8封装,尺寸紧凑,面积仅为5mm x 6mm,可在恶劣环境下提供出色的功率开关功能。
事实/要点:
• 恩智浦NextPower系列25V和30V 半导体在以下六个参数方面性能表现优异:
o 低RDS (on) —— 拥有行业最低RDS(on)的Power-SO8封装产品 —— 在SYNC FET或功率OR-ing应用下具有I2R损耗低、性能出色的特点
o 低Qoss,有利于减少漏极与源引脚之间的损耗,当输出引脚上出现电压变化时,还可减少输出电容 (Coss) 中存储的损耗能量
o 低Miller电荷 (Qgd),有利于减少开关损耗和高频开关次数
o SOA性能可以极好地承受过载和故障条件
o 低栅极电荷 (Qg) 可以减少栅极驱动电路中的损耗
o 出色的额定结点温度Tj(max),坚固型Power-SO8 LFPAK封装则为条件恶劣且对可靠性要求较高的环境提供了保障
• 主要应用领域包括同步降压MOSFET、DC-DC转换、稳压器模块和功率OR-ing
型号:
• NextPower 25V MOSFET:PSMN0R9-25YLC、PSMN1R1-25YLC、PSMN1R2-25YLC、PSMN1R7-25YLC、PSMN1R9-25YLC、PSMN2R2-25YLC、PSMN2R9-25YLC、PSMN3R2-25YLC、PSMN3R7-25YLC、PSMN4R0-25YLC
• NextPower 30V MOSFET:PSMN1R0-30YLC、PSMN1R2-30YLC、PSMN1R5-30YLC、PSMN2R2-30YLC、PSMN2R6-30YLC、PSMN3R2-30YLC、PSMN3R7-30YLC、PSMN4R1-30YLC、PSMN4R5-30YLC