JimHandy:下半年NAND闪存市场或将"崩盘"

     由于闪存芯片制造商纷纷迈向30nm级、20nm级生产工艺，明年闪存芯片的按位增长率预计将达到78.3%。三星、东芝和英特尔－美光合资企业IMFT计划兴建的工厂，明年将使产量再增加70%，供应过剩的风险很高。iSuppli公司提醒，除非供应商谨慎地根据需求来管理生产，否则明年的新增产能将导致该市场急速下坠。

    在2011年的国际固态电路会议(ISSCC)上，海力士、三星和东芝公布了各自关于尖端NAND部件的更多细节。

    在一段时间内，由于手机、平板电脑和固态存储等产品市场的强劲需求，NAND闪存厂商一直有着惊人的增长速度。

    但是不要看现在，NAND闪存的“派对”可能将要结束了。海力士、美光、三星和东芝已经或者即将建造新的NAND晶圆工厂，此举可能会导致生产能力过剩和价格下跌。

    Objective-Analysis分析师JimHandy表示：“我们一直估计下半年(NAND市场)将要崩盘。”

    NAND市场需求预计仍将保持较强水平。Handy在ISSCC大会上表示，NAND平均销售价格(ASP)在过去一年中一直保持平稳，但是平均销售价格预计将在2011年第四季度“瓦解”。

    目前，NAND闪存的每GB售价为1.6美元。到2012年中，这一价格预计将下降至0.65美元，降幅达40%。

    问题时，即将有太多的工厂产能上线。美光公司正在新加坡兴建新的NAND晶圆工厂。东芝公司日前启动了名为Fab5的晶圆厂。此外有报道称三星也将启用新的名为Line16的晶圆厂。

    与此同时，在ISSCC大会上，东芝和San Disk提交了一份关于151平方毫米、64Gb、基于MLC和24nm技术的设备材料。

    海力士则谈到了他们基于该24nm的32GbMLC产品线。市场领导者三星公司则谈到了64Gb、基于27nm的3bpc产品线。

    如果今年下半年以及更长远的季节性需求不如预期强劲，则供应过剩和其它支出可能导致NAND闪存市场下沉，并走向衰退。否则的话，该市场本来会保持活力。