DRAM合约价落底 第二季起可望反弹

    虽然智能手机和平板电脑的热火继续蔓延2011年，但根据iSuppli公司的预测，2011年DRAM平均销售价格将大幅下滑，全球DRAM销售额也将随之急剧萎缩。

    根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，一月上旬合约价已接近底部价位，DDR32GB均价约17美元，而低价成交价约在16美元价位左右，跌幅更从先前动辄10%的下跌缩小至5%-6%，而一月下旬合约价方面，目前DRAM原厂与PC-OEM间正洽谈中，预期价格将呈现持平或微幅下跌走势。

    随着Intel新平台SandyBridge于一月初正式发表，加上64位元作业系统普及与低价记忆体因素，预期新主流规格单机将搭载DRAM在4GB或以上，电脑系厂在第一季底及第二季初将开始拉货提高库存准备，将带动DRAM价格反弹20%至25%。

    现货市场方面，今年一月以来DDR2与DDR3皆呈现持稳的价格走势，DDR31Gb约在0.84美元，而DDR2则在1.35美元上下。由于先前市场价格持续下跌，模组厂及市场通路皆保守因应，维持低库存水位，随着中国新年将近，将会有机会带动一波补货潮，带动价格上扬。

    2010年第三季DRAM厂市占率调查中，韩系DRAM厂已占全球市占率约61.2%，三星一举超过40%的市占率。在韩系DRAM威胁下，台系DRAM也积极往新制程转进或是转型生产非标准型记忆体以强化市场竞争力。

    从各家台系厂策略布局来看，力晶今年将持续扩大代工方面的投片量，承接非DRAM类型的代工订单，标准型DRAM除了45nm制程进入量产，原63nm也于年初转为生产2Gb颗粒，预计下半年全转为2Gb产出。瑞晶于第一季投片已全数转为45nm制程，同时二月中开始试产38nm制程，是全台最早导入3xnm制程的厂商，在今年年底前38nm将接近过半，同时年底开始试产32nm。

    南科与华亚科50nm制程目前良率也稳定在75%-80%，产出量更于去年12月大幅成长，42nm初期试产状况不错，预计年中后比例将大幅攀升。邦则是成功转型为生产利基型记忆体的DRAM厂，除了利基型DRAM与MobileDRAM外，亦将提升NORFlash的比重，并逐步将产能往65nm迈进。

    由于DRAM厂在景气刚回温即大幅增加资本支出、扩张产能、转进新制程，而当景气转差面临跌价压力及损失时，因成本考量仍持续生产，而使DRAM产业价格无法快速回稳，DRAM厂损失持续扩大。但经历2007至2009年长达三年的亏损，市场仅回温一年，DRAM厂又面临亏损困境。

    因此，DRAMeXchange认为，在此次下跌趋势中，无政府纾困力量介入，DRAM厂将节制资本支出，市场机制将使竞争力落后的厂商更快速做出调整的脚步，让产业回归正向的发展。DRAMeXchange并预期，在今年将有DRAM厂商做出重大方向决策，进而改变DRAM产业的生态发展。

    总之，DRAM价格将继续下滑，至少要持续到2011年上半年，明年第二季度末2GB DDR3模组价格将跌破15美元。之后，明年下半年结束时供需平衡预计将变得较为有利，届时价格下跌之势可能暂时放缓或者停止。