随着DRAM和NANDFlash市场价格持续崩跌，不仅上游DRAM厂营收纷呈现大幅衰退情况，下游存储器模块厂亦受到牵累，10月营收亦持续下滑，其中，威刚10月营收较9月减少达17.1%。威刚表示，预期11月营收将因为产业景气进入淡季，而持续呈现衰退景况，公司因应策略是致力降低库存水位，将库存维持在约3~4周水平。
2011年的NAND快闪记忆体市场将会发生哪些情况？以下是投资银行BarclaysCapital分析师C.J.Muse所预测的该市场七大发展趋势：
1.2011将是NAND快闪记忆体年
Muse认为，2011年将是属于NAND的年份；明年3x奈米将是主流制程，2x奈米也将扬眉吐气。不过该市场将呈现双头寡占的状态，由三星(Samsung)与东芝(Toshiba)/Sandisk两大厂商总计囊括近75%的生意(市占率分别为40%与33%)。2011年NAND厂商的资本支出规模也将首度超越DRAM厂商。
2.苹果效应
平板装置风潮将带来庞大的NAND需求量；半导体设备业者应用材料(AppliedMaterials)曾预估，将需要一座月产能200kwspm的初始晶圆厂，才能因应预期中的需求。光是苹果(Apple)本身，其明年需求量就可能是今年的两倍，甚至还有可能达到三倍──因为该品牌所有的Macbook笔记型电脑现在都是采用固态硬碟(SSD)。
3.是领导者也是跟随者的三星
NAND制造商正朝著2x奈米制程节点迈进，而各家厂商不太相同，三星(Samsung)是27奈米，美光(Micron)是25奈米，东芝是24奈米，海力士(Hynix)则是26奈米。其中三星无疑是产量与获利之王，但却不一定是NAND制程技术的领先者。
在多层单元(multilayercell)制造技术上，三星的起步较晚，但现在该公司已经同时具备3x奈米与2x奈米技术能力；三星2011年将迈入27奈米制程节点，将让产品成本比3x奈米制程降低35%。此外该公司也预期，到2010年底，3x奈米制程将可微缩至80%以下。
4.要感谢东芝…
由于先前的东芝厂停电问题，NAND快闪记忆体明年第一季的价格可望上扬，也许幅度不是很大，但至少有助于该市场在2011年1~2的维持价格稳定；该停电事件大约让生产线上20%的产品受到影响。
5.东芝平板装置效应？
东芝目前正积极量产32/24奈米制程，也发表了自有品牌的平板装置；该公司是在2010年8月开始量产24奈米制程，其7月份开始兴建的新晶圆厂Y5将在明年春天就绪。不过该厂并不像英特尔(Intel)的18寸晶圆厂D1X，不支援EUV微影设备。
6.海力士再起
海力士一直以来都遭遇棘手的良率问题，包括在6x奈米与4x奈米制程节点，但该公司最近的良率已经大幅改善，在3x奈米与2x奈米领域甚至晋身领导级厂商；其逆境求生的本能与优良的管理策略令人惊艳。
目前海力士正在进行3x奈米制程的转换，接下来很快就会迈进2x奈米制程，时程约在2011年中；该公司2010年的产能可望增加30kwspm，2011年估计将再成长3万片，不过得看他们是否能在衰弱的财务状况中，拿出额外的资本支出。
7.美光力争上游(不包括英特尔)
最近美光公布2011年资本支出规模约在24~29亿美元之间，其中有三分之二是花在IMFlash新加坡(IMFS)的量产；该公司计划在2011年底将IMFS的产能再提升六成，达到10万片晶圆的月产能。
美光与英特尔在IMFS的持股本来各半，前者最近将持股比例提升到71%；IMFS采用的是2位元MLC架构，应该优于东芝与三星所开发的3位元MLC。美光预期在2011年完成转换至25奈米制程。
在未来两年，预计平均销售价格(ASP)将温和下跌23-29%。此外，iSuppli公司警告，2011年以后可能面临供应过剩的问题，而 2012年下滑的风险很大。鉴于目前的乐观展望，该产业可能的NAND产量增长速度可能超过实际需求，从而导致供应过剩并随之引起市场下滑。
随着制造活动在11月开始放缓，以及高性能嵌入NAND等领域的需求在假日季节之后全面减速，预计第四季度市场将出现一些动荡。
总体来看，2012年NAND闪存营业收入将略有下降，2013年上升，然后在2014年再度回落。下图所示为iSuppli公司的具体预测。
除了潜在的供应过剩，供应商增加资本支出也令人担忧，这与是产业乐观气氛高涨的结果。iSuppli公司的数据显示，2011年资本支出将达到创纪录的16亿美元。
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