预计2011年全球NAND闪存芯片平均价格将下降35%

    iSuppli公司的数据显示，预计2011年NAND闪存市场上升25%至225亿美元。集邦科技发布近日报告称，2011年全球闪存芯片销售额将达到215亿美元，同比上涨16%，但是其平均价格将同比下降35%。

    集邦科技称，新款智能机、平板机的发布以及春节期间的采购将缓解明年一季度闪存市场受到的季节性销售因素影响。到二季度时，闪存市场的供需就会更加平衡，价格下降幅度不会太大。

    平板机被看作是除智能手机外NAND闪存需求最大的驱动力，集邦科技预测，明年全球平板机出货量将从今年的1500万上涨到5000万。

    由于闪存芯片制造商纷纷迈向30nm级、20nm级生产工艺，明年闪存芯片的按位增长率预计将达到78.3%。三星、东芝和英特尔－美光合资企业IMFT计划兴建的工厂，明年将使产量再增加70%，供应过剩的风险很高。iSuppli公司提醒，除非供应商谨慎地根据需求来管理生产，否则明年的新增产能将导致该市场急速下坠。

　　随着制造商扩充产能方面的支出增加，以及新工厂的产量预计上升，供应商必须平衡两种需求：降低生产成本，以及增加NAND闪存供应。

　　如果今年下半年以及更长远的季节性需求不如预期强劲，则供应过剩和其它支出可能导致NAND闪存市场下沉，并走向衰退。否则的话，该市场本来会保持活力。