SE2601T充分利用了基于硅技术的RF解决方案的性能和功能集成优势

　　全球最大、最成功的基于硅技术的射频（RF）前端解决方案供应商SiGe嵌入式公司（SiGe Semiconductor）扩展其全面广泛的产品系列，推出RF开关/LNA 前端半导体 （F天线）产品SE2601T。新器件专门为提高电容应用中融合型蓝牙/WiFi芯片组的性能和功能性而设计，能够满足新一代智能电话、上网本、个人媒体播放器和数码相机对融合多种连接能力（如WiFi™和蓝牙™）不断增长的需求。

　　SiGe半导体开发SE2601T，旨在使用集成式CMOS功率放大器（PA）来增强蓝牙™/WiFi™芯片组解决方案的性能和功能性。

　　SE2601T充分利用了基于硅技术的RF解决方案的性能和功能集成优势。该器件通过在EIC和RF接收器之间，放置广被CSR、Marvell、Broadcom 和Atheros等领先供应商的芯片组使用的高性能LNA，来扩大WiFi™解决方案的连接范围。对于智能电话等嵌入式应用设备，由于WiFi™解决方案的实体空间限制，LNA功能每每因而被删减，从而导致连接性能劣化。另外，有鉴于嵌入式应用设备因使用小尺寸天线而影响信号质量，LNA器件能够显著提高至关重要的WiFi™接收系统的灵敏度。RF开关（支持蓝牙™和802.11bgn功能之间的天线共享）通常是一个分立器件，需要额外的无源器件，因而占位空间多于集成式2601T解决方案。因此，SE2601T可大大减少为了增强WiFi™性能所需的占位面积，同时支持蓝牙™和WiFi™功能的天线共享。

　　从竞争角度来看，SE2601T通过采用基于硅技术的IC工艺集成了所需的DC阻隔IC，而基于砷化镓（GaA） 的竞争产品却需要外部电容，故占用了更多的电路板空间，并增加了WiFi™解决方案的材料清单成本。

　　SE2601T是SiGe基于硅技术的RF开关/LNA产品系列的一员，采用2x2mm QFN封装，也是SiGe半导体最近发布的SE2600S芯片级封装（CSP）FEIC的同类型产品。二者的分别在于SE2600S是专为模块供应商而设计的，而SE2601T则是最适合直接用于嵌入式设备母板的产品。

　　SE2601T采用符合RoHS指令的无卤素、小引脚、2mmx2mmx0.6mm QFN封装。

　　SE2601T器件订购1万片的价格为每片0.37美元。SiGe半导体现可提供SE2601T样本，并随产品提供器件及评测版的数据表，以及大量有关使用和实施的应用文档。

　　SiGe半导体能够提供出色的客户支持服务，帮助客户设计、升级和改良其应用设计中的SE2601T模块，从而优化性能。