华氏负451度 芯片速度创纪录

    IBM和Georgia Tech公司通过让温度降低到华氏负451度，已经设法让一个芯片的运行速度达到500GHz，从而创造了以硅为基础的芯片速度的新纪录。这两家公司正在实施一个探索硅锗（SiGe）芯片速度极限的项目，上述在低温下提高芯片速度的实验是这个项目的一部分。

    不过，在硅中添加锗提高了生产硅片和芯片的成本，因此硅锗芯片一般只用在少数精选应用中。自1998年开始销售硅锗芯片以来，IBM已经售出了上亿个器件，但是相比之下，蜂窝电话行业每年消耗的纯硅芯片就达数十亿个。

    在室温下，IBM-Georgia Tech芯片的工作速度是350GHz，或者说以每秒3500亿个时钟周期运行。这比今天标准PC处理器1.8GHz至3.8GHz的速度快得多，硅锗芯片在较低温度下还可以进一步提高速度。

    IBM和Georgia Tech的科学家从理论上分析，硅锗芯片最终可能达到1THz的速度，或者每秒1万亿个时钟周期。高性能硅锗芯片将来可能用于国防、空间探索、交通工具和遥感等领域。
 

(源自:计世网)