IBM公司与佐治亚理工学院日前宣称打破了硅速度记录，部分归功于“冰冻芯片”。双方进行的实验称，已论证了首款基于硅的芯片，通过将电路“冰冻”在零下451摄氏度，能在500GHz以上的半导体工作，比当今手机通常约2GHz的频率快250多倍。
该项实验是一个项目的一部分，该项目是探索硅锗(SiGe)器件的终级速度，据称能在冷温下工作更快。
超高频率SiGe电路在商用通信系统、军用电子、宇宙和遥感等领域有潜在应用。该研究有望研制出新型的功能强大、低能耗芯片，将未来应用诸如HDTV和电影质量的视频传送到手机、汽车和其它设备上。
研究使用的芯片来自IBM 200mm晶圆加工的第四代SiGe技术原型。室温下，这些电路工作频率大约为350GHz。
IBM系统及技术分部副总裁兼首席技术官Bernie Meyerson表示：“双方的合作研究重新定义了硅基频率的性能极限。”
（源自：电子工程专辑）
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