日本松下电机株式会社日前推出取代常规低K薄膜的材料。该公司研制了一种新型制造工艺，据称能使先进IC设计内的“空气隙”互连结构成为现实。
松下的技术命名为Air Gap Exclusion (AGE)，据称能实现K值为2.5及更低带空气隙结构的铜互连。松下在国际互连技术大会(IITC)上发表的论文表示，“AGE工艺将实现新一代的互连电路。”该公司没有透露何时将该技术用于生产。
前沿的芯片制造商一直拼命将铜互连与新型复杂低K介电薄膜集成作为提高芯片设计性能的方法。尽管许多芯片制造商能够在130纳米和90纳米节点应用低K薄膜，但仍然有互连技术将撞南墙的说法。空气间隙技术数年来被提出用于取代低K薄膜，但松下表示生产中有许多与该技术相关的问题：损坏铜线、通孔和触点失准；大范围区域平整度退化等。
据松下称，使用AGE解决了以上的许多问题。
（源自：电子工程专辑）
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