韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)预测，第一季NAND型快闪记忆体(闪存)价格跌幅将超过25%，跌速大于该公司先前预期。
但该公司司投资人关系部门主管James Kim周一向路透表示，海力士预期，接下来几季的价格跌幅将会减缓，该公司并维持NAND价格2006全年跌幅约50%的预测。
NAND型快闪记忆体价格跌势，使记忆体大厂的业绩前景受到打击，包括龙头厂商韩国三星电子。
一名三星公司主管在3月稍早时向路透表示，该公司预期NAND型晶片价格第一季跌幅不会超过20%。
James Kim亦称，海力士已调升3月的动态随机存取记忆体(DRAM)合约价。该公司在2月及1月也有类似的调升举措。不过他并未进一步说明。
(源自:路透社)
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