2006年全球半导体业者资本支出变化颇耐人寻味！向来在资本支出不分轩轾的前2大半导体厂英特尔（intel）和三星电子（samsung electronics），2006年出现两极化情况，英特尔延续过去加码投资步调，三星则一反常态缩减资本支出；至于dram业者方面，海力士（hynix）和力晶投入钜资扩充闪存（flash）产能，促使其2006年资本支出增长为半导体业中最显眼的一群。
过去几年均大手笔拨出巨额资本支出预算的三星，2006年却一反常态，削减半导体资本支出达11％，着实令外界惊讶，认为此恐反应出三星对于2006年半导体前景看法保守，并有分析师指出，由三星投资态度显示近期业界对于2006年景气预期太过乐观。
不过，英特尔随后公布2006年资本支出将追加19％，且如无意外，英特尔将持续投入65纳米制程和12英寸厂升级计划。全球2大半导体厂2006年扩产态度大相径庭，令人摸不着2006年半导体景气确切走向。
相较之下，dram业者的态度则明确许多，投资机构pacific crest日前公布报告指出，海力士2006年资本支出将增长近5成，达32亿美元。由于海力士近期抢进nand型flash市场动作频频，预期2006年大手笔加码资本支出，将主要用于建造大陆无锡12英寸厂，以及升级韩国8英寸厂之用。
台湾dram业者力晶亦不落人后，宣布2006年资本支出将倍增至新台币600亿元，换算约达18.7亿美元，在全球半导体厂2006年资本支出排名中，可望挤进前6名。值得注意的是，目前flash市场多由三星、海力士、东芝（toshiba）等大厂称霸，力晶未来是否会与国际大厂合作联盟，以代工flash为主，颇令业界关切。
（源自：上海电子网）
版权所有