新一代高速光集成芯片纷纷亮相

　　在日前举行的国际固态电路会议ISSCC 2006上，那些面向芯片间布线的25Gbit/秒的高速CDR电路及集成光器件的CMOS电路芯片都引起与会者的极大兴趣。

    在面向背板（Back Plane）的芯片方面，采用CMOS技术生产的传输速度在10Gbit/秒以上的收发器变频器也有亮相。

　　发表25Gbit/秒高速CDR的是瑞士苏黎世联邦高等工学院(ETH Zurich)与IBM联合组成的研究小组。滤波器电压+1.1V时的耗电为98mW，单位带宽的耗电只有原来的一半左右。比特误码率在10-12以下。采用80nm工艺CMOS技术生产，CDR电路核心部分的面积只有0.09mm2。

　　发表集成光器件的CMOS电路的是美国Luxtera。采用面向PowerPC的0.13μm工艺CMOS技术，嵌入了电气电路及光器件。集成的光器件为光电源以及面向WDM（波分复用）的MUX/DEMUX。形成芯片的底板使用了SOI（绝缘体上外延硅）。

　　发表10Gbit/秒以上的面向背板的收发器IC的是美国IBM及美国Keyeye Communications。IBM开发的是接收端使用5个DFE（判决反馈均衡器）、发送端使用4个FIR（有限长脉冲响应）IC的SerDes电路。采用90nm工艺CMOS技术生产。使用该芯片的DFE及FIR此前就有，并不是新技术。不过，ISSCC委员表示，在论文审查时获得高度评价的是：将上述技术顺利导入SerDes电路，实现了10Gbit/秒的传输速度。Keyeye开发的收发器IC的传输速度为12.5Gbit/秒。最大传输距离为30m。耗电为3.8W。采用130nm工艺CMOS技术生产。

（源自：光纤新闻网）