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三星Galaxy S5十大传感器拆解分析（多图）（3）

2014-04-14 11:25 上海微技术工研院

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6轴陀螺仪之工艺（二）

MPU6500的ASIC芯片采用标准CMOS工艺，使用6层平坦铝布线制程，工艺节点为0.18um。

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来源：上海微技术工研院SITRI 三星Galaxy S5十大传感器拆解分析（多图）1

来源：上海微技术工研院SITRI

MPU6500的MEMS芯片采用InvenSense的 Nasiri工艺，该工艺能够与标准CMOS工艺紧密结合，并且使用体硅技术实现主要MEMS结构。ASIC芯片与MEMS芯片采用晶元级铝锗建合。

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来源：上海微技术工研院SITRI 三星Galaxy S5十大传感器拆解分析（多图）3

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关键词： 三星GalaxyS5 传感器