中国 上海 - 2012年12月18 日 - 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6 GHz宽广的工作频率上提供30-37W (CW) 射频输出功率。它们是商业通信和测试设备系统等类似的宽带系统应用的理想选择。
TriQuint新的氮化镓功率晶体管包括28V的T1G6003028-FS，其工作频率为直流至6 GHz，提供30W的输出功率，在3.5 GHz和6 GHz频率时的效率分别为55%和44%。T1G6003028-FL提供相同的性能，并且采用法兰封装来满足不同封装的要求。TriQuint新的32V的T1G4003532-FS和法兰封装的T1G4003532-FL是用于S波段及类似应用的理想选择。它们在直流至3.5 GHz工作频率下提供37W (CW) 输出功率。上述两种32V器件均在3.5 GHz和6 GHz分别提供大于16dB和10dB的增益;其附加功率效率(PAE) 在5GHz和6GHz分别为60%和49.6%。
所有四款新的氮化镓晶体管均可承受高达10:1的驻波比(VSWR) 失配而不损害功能，同时为在高漏偏压条件下工作而优化，从而降低系统成本和散热管理成本。所有器件均可出口至大多数国家;详情请与TriQuint联系。
技术规格 – 新的TriQuint 氮化镓晶体管：
T1G6003028-FS直流至6 GHz的氮化镓射频功率晶体管：30W;在3.5 GHz时, 增益为14dB;在6 GHz时，增益为10dB;漏极效率：在3.5 GHz时为55%, 在6 GHz时为44%;28V在200 mA，承受10:1 驻波比，EAR99无法兰封装。
T1G6003028-FL直流至6 GHz的氮化镓射频功率晶体管：30W;在3.5 GHz时, 增益为14dB;在6 GHz时，增益为10dB;漏极效率：在3.5 GHz时为55%, 在6 GHz时为44%;28V在200 mA，承受10:1 驻波比，EAR99法兰封装。
T1G4003532-FS直流至3.5 GHz的氮化镓射频功率晶体管：30W CW;在3.5 GHz时, 增益超过16dB;在6 GHz时，增益为10dB;附加功率效率：在5 GHz时为60%, 在6 GHz时为49.6%;32V在2.4 A，承受10:1 驻波比，EAR99无法兰封装。
T1G4003532-FL直流至3.5 GHz的氮化镓射频功率晶体管：37W CW;在3.5 GHz时, 增益超过16dB;在6 GHz时，增益为10dB;附加功率效率：在5 GHz时为60%, 在6 GHz时为49.6%;32V在2.4 A，承受10:1 驻波比，EAR99无法兰封装。
如需样品和评估板请联系产品营销部。访问TriQuint网站来接洽所在地区的销售代表。
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