Vishay Siliconix 推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET®功率MOSFET

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 12 月7 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。该器件特别针对“重型”汽车应用，是Vishay采用兼具低电阻和高电流等级的7脚D2PAK封装的首款功率MOSFET。

　　通过高密度TrenchFET技术，器件在10V和4.5V下实现了1.1mΩ和1.3mΩ的超低最大导通电阻，将传导损耗最小化，并能在更低的温度下工作。此外，器件的连续漏极电流达200A，帮助工程师设计出更具鲁棒性的产品，为关键的安全应用提供额外的安全余量。

　　今天发布的SQM200N04-1m1L适用于电动转向助力等高功率车用电机驱动应用。器件采用了专门设计，在生产过程中进行了100%的测试，可承受100A和500mJ的单个雪崩脉冲。器件具有0.4˚C /W的低热阻(结至外壳)，工作温度范围-55˚C～+175˚C。

　　SQM200N04-1m1L符合RoHS，通过100%的Rg和UIS测试。

　　新款车用功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十四周到十六周。