Fairchild开发出新的封装技术

　　为了满足高电流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飞兆半导体公司开发出用于MOSFET器件的Dual Cool封装，Dual Cool封装是采用崭新封装技术的顶部冷却PQFN器件，可以通过封装的顶部实现额外的功率耗散。

　　Dual Cool封装具有外露的散热块，能够显著减小从结点到外壳顶部的热阻。与标准PQFN封装相比，Dual Cool封装在配合散热片使用时，可将功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool封装的MOSFET通过使用飞兆半导体专有的PowerTrench®工艺技术，能够以较小的封装尺寸实现更低的RDS(ON)和更高的负载电流。

　　不同于其它采用顶部冷却的解决方案，这些器件提供有Power33 (3.3mm x 3.3mm)和Power56 (5mm x 6mm) Dual Cool封装选项。Dual Cool封装保持与行业标准PQFN相同的占位面积，可让功率工程师快速验证采用Dual Cool封装的MOSFET器件，无需采用非标准封装，即可获得更佳的热效率。

　　目前采用Dual Cool封装的器件包括FDMS2504SDC、FDMS2506SDC、FDMS2508SDC、FDMS2510SDC(5mm x 6mm)和FDMC7660DC(3.3mm x 3.3mm)，这些器件是用于DC-DC转换器、电信次级端整流和高端服务器/工作站应用的同步整流MOSFET的理想选择。飞兆半导体Dual Cool 封装MOSFET具有顶部冷却和超低结温(RthJA)特性，能够提升热效率。采用Dual Cool封装的MOSFET器件可以使用或不使用散热片。

　　Dual Cool封装MOSFET是飞兆半导体行业领先的MOSFET产品系列的一部分，飞兆半导体通过了解空间受限应用对更高电流、更小占位面积DC-DC电源的需求，以及客户和其服务的市场，量身定做具备独特的功能、工艺和封装创新组合的解决方案，在电子产品设计方面发挥重要的作用。