笔者曾在2010年12月发表《LED导、散热之热通路无胶水化制程》一文，说明胶水对于LED导、散热之影响与残害，并介绍一种使用“无胶水化高温陶瓷基板”以取代“一般含导热胶水铝基板”，即以“焊锡制程”取代一般使用“导热硅胶或硅胶片”制程，借此规划以避免胶水对于LED导、散热之影响与残害。
经过这2年多来LED业者无论是在材料或制程上都有长足的改善与精进，今年由于“免焊线型覆晶晶粒Flip chip、无胶水优导热共晶板材、共晶制程等”材料或制程的陆续发表与上市，接下来LED晶粒、封装、组装与应用等或会发生2次翻天覆地的革命，故为文介绍此一新趋势。
笔者曾经在10多年前即参与覆晶晶粒Flip chip的开发，但当时进度极缓，直到最近几年覆晶晶粒Flip chip的开发才终有突破并至成熟。覆晶晶粒Flip chip(又称：倒装晶粒)有下列诸多优缺点。
a.优点
1 覆晶晶粒有“焊线型覆晶晶粒”与“免焊线型覆晶晶粒”2大类。
2“焊线型覆晶晶粒”焊线时不会挡住发光区(一般焊线型覆晶晶粒Flip chip需焊线，参考图片1“焊线型覆晶晶粒”，但有些特殊覆晶晶粒Flip chip更设计成无需焊线的“免焊线型覆晶晶粒”，参考图片2“免焊线型覆晶晶粒”)。
3 焊线型覆晶晶粒Flip chip固晶时较一般正装晶粒不易造成短路。
4 焊线型覆晶晶粒Flip chip焊线操作较易，且焊线不直接打线于晶粒上，而是焊线于晶粒载体上，操作较易且无损晶粒，质量比一般正装晶粒更稳定。
5 覆晶晶粒即使需要焊线也不会挡住发光区，参图片1，故发光光型更优于一般正装晶粒。
6 覆晶晶粒发光区面积比一般正装晶粒大且发光区完整属全面发光，故亮度更高。
7 覆晶晶粒发热之PN界面更接近固晶基材，导热路径缩短为仅约一般正装晶粒之1/10，导热路径缩短此有助于导热效益。
8 覆晶晶粒如使用共晶制程固晶，比使用一般固晶胶(银胶或绝缘胶) 固晶之导热较优异，可加大驱动电流，增加发光亮度，减少光衰，延长寿命。
9 覆晶晶粒需采用共晶制程固晶才能相得益彰，且比一般固晶胶固晶(固晶胶易劣化)稳定度与可靠度都更优异，(如果覆晶晶粒采用固晶胶固晶，那是暴殄天物！) 。
10 有些特殊覆晶晶粒Flip chip更设计有保护零件。
11 免焊线型覆晶晶粒Flip chip除省去焊线作业外，更提高质量约3倍(笔者已入行LED多年，依之前LED封装之死灯现象分析统计有高达70%以上图片1 焊线型覆晶晶粒倒装芯片外观图焊线区(函垫)晶粒本体晶粒载体图片2 免焊线型覆晶晶粒尺寸长1000μm阴极(-)430μm阳极( )260μm宽500μm的死灯缘自焊线缺失) 。
b.缺点
1 覆晶晶粒Flip chip成本较高。
2 要求较高的固晶制程能力才能封装覆晶晶粒Flip chip。
3 使用覆晶晶粒Flip chip的封装线较一般正装晶粒需较高的设备投资额。
4 覆晶晶粒需采用共晶制程固晶才能相得益彰。
5 免焊线型覆晶晶粒Flip chip因PN界面更接近固晶基材，当固晶不当时易造成短路。
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