为了扩展消费电子领域市场，VTI加宽了产品线，在2010年墨西哥电子展宣布进入MEMS晶振市场。
作为MEMS的先驱，在如今高速发展的市场下晶振市场呈现出平稳的发展。“对目前市面上出现的MEMS产品进行分析，Yole Développement做出MEMS晶振市场是2015年最有发展潜力的市场，并且是2009到2015复合年均增长率（CAGR）最高的市场.预期MEMS晶振会从2009年的USD 7.9百万增加到USD *.9百万在2015年，”除了越来越小的电子设备需要更小体积振荡器的配合，有些最新的电子设备的体积甚至已经小到了传统石英晶振难以满足要求的地步。比如下一代高容量SIM卡（HC-SIM）由于要具备USB接口，因此需要外加时钟，而HC SIM卡的厚度非常有限，厚度只有0.7毫米，传统的石英晶振厚度很难做到1毫米以内，这时厚度只有0.25毫米的SiT8003XT将成为最佳解决方案。
VTI消费电子副总裁Mr. Sten Stockmann说VTI晶振产品会利用VTI的3D MEMS和封装技术。VTI目前使用Chip-on-MEMS技术对费级传感器进行封装。同样的技术也会应用在晶振上，不过是相反的MEMS-on-Chip技术。
成熟的MEMS技术
传统晶振在使用20M-33MHrs后会发生性能稳定性下降的问题，而MEMS振荡器出现该问题的时间是500MHrs，稳定度提高十倍以上。而且MEMS振荡器在工作温度范围（分为工业级和商业级）内不因温度的影响而产生频点的漂移。石英晶振---绝大部分高性能电子系统的计时都是由石英振荡器---在发展飞速的消费设备中面临着挑战。振荡的稳定性和频率灵敏度就像石英振荡器减小尺寸一样，是相互制约的，这是由于要增加这些更新的振荡器的晶体阻抗。小的石英振荡器在频率偏差方面对震动更灵敏，就像小封装的振荡器对于机械振动的公差就会更大一样。
硅MEMS振荡器替代石英晶振。硅MEMS振荡器尺寸小，价格低，此外不易受撞击和震荡。
VTI提供低成本，小尺寸和超高性能的方案
MEMS振荡技术已经在市场上普及，它所面对的是低精度和大温漂这些问题。一个典型的MEMS振荡器的频率可以达到10，000ppm。此外，MEMS振荡器温度漂移大约在30ppm/摄氏度。
这种振荡技术，ASIC必须被设计来补偿频率误差，增加了尺寸，成本，功耗和噪声。结果是振荡器成本提高，切没有竞争优势。
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