京瓷薄膜硅太阳能电池转换效率达13.8％

    在2010年10月19~21日于东京举行的研讨会
“NaturePhotonicsTechnologyConference" 上京瓷发表了有关演讲，公布了有关薄膜硅太阳能电池的研发情况。面积为1cm2的电池单元，稳定前的转换效率已达到13.8%.   

    实现13.8%转换效率的是叠加非晶硅层和微晶硅层的串联构造的薄膜硅太阳能电池。京瓷在其中微晶硅层的形成方面，采用了称为Cat-PECVD的方法。  

    普通的PECVD方法是将SiH4和H2同时放入反应室中。而京瓷则是将加热到1800℃的钨（W）丝和钽（Ta）丝等作为触媒（Catalyzer）分解H2,然后再导入反应室中。这样，就可形成高品质的微晶硅。   

    采用Cat-PECVD方法时的微晶硅层的成膜速度为1.6nm/秒。在普通的PECVD方法中，该成膜速度下形成的薄膜硅太阳能电池的转换效率在11%上下。想要在普通的PECVD方法下使转换效率提高到13.8%,就需要将成膜速度降至0.9nm/秒左右。今后，京瓷将以解决大面积化等课题为目标推进研发。