NexFET功率模块可显著降低解决方案尺寸与成本

　　半导体公司总部位于美国德克萨斯州达拉斯城，是一家全球性的电源公司，是世界领先的数字信号处理和模拟技术的设计商、供应商，是推动电子数字化进程的引擎。主要MOSFET产品有：数字信号处理器、模拟和混合信号器件、数字逻辑、ASIC、微控制器、语音和图形处理器、可编程逻辑、军用器件等。

　　德州仪器（TI）宣布推出一款可在25A电流下实现超过90%高效率的同步MOSFET半桥，其占位面积仅为同类竞争功率MOSFET器件的50%。TI全新CSD86350Q5D功率模块通过高级封装将2个非对称NexFET功率MOSFET进行完美整合，可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点（POL）转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。

　　NexFET功率模块除提高效率与功率密度外，还能够以高达1.5MHz的开关频率生成高达40A的电流，可显著降低解决方案尺寸与成本。优化的引脚布局与接地引线框架可显著缩短开发时间，改善整体电路性能。此外，NexFET功率模块还能够以低成本方式实现与GaN等其他半导体技术相当的性能。

　　CSD86350Q5D功率模块的主要特性与优势：
　　5 毫米x6毫米SON外形仅为两个采用5毫米x6毫米QFN封装的分立式频率器件的50%；
　　可在25A的工作电流下实现超过90%的TI效率，与同类竞争器件相比，效率高2%，功率损耗低20%；
　　与同类解决方案相比，无需增加功率损耗便可将IC提高2倍；
　　底部采用裸露接地焊盘的SON封装可简化布局。

　　采用5毫米x6毫米SON封装的NexFET功率模块器件现已开始批量供货，可通过TI及其授权分销商进行订购。此外，样片与评估板也已同步开始提供。