Maxim推出带有1024字节无痕迹存储器的安全管理器DS3644,可安全存储敏感数据。器件内部的篡改监测器能够有效抵御时钟、电信号和温度篡改事件,还可将篡改检测输入连接至外部传感器,实现灵活的定制特性。片内无痕迹存储器允许终端用户在发生特定篡改事件时有选择地清除存储器数据。这种具有专利保护的存储器架构*能够确保在发生篡改事件时立即擦除数据,从而提高了基于SRAM存储器的系统安全等级。DS3644能够满足政府设施、军事系统等高安全等级应用的要求,适用于需要监测多种篡改操作的系统。
DS3644能够以超低功耗提供篡改检测功能,与电源无关。片内电池备份控制器持续监测主电源(VCC),当主电源电压过低或未连接主电源时,自动切换至电池(VBAT)供电。DS3644仅消耗4µA电池电流,能够在电池供电条件下保持敏感数据并提供篡改检测功能。
DS3644工作在-55℃至+95℃扩展级温度范围,采用7mmx7mm、49焊球CSBGA无铅封装。相关的评估板将在近期发布,供货情况请联系工厂。根据对产品安全等级的要求,签署保密协议(NDA)后可提供价格信息。
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深圳市达科峰电子经营部 | DS3644N(现货) | 面议 |
深圳市增源电子商行 | DS3644N(现货) | 面议 |
汕头市金海纳电子有限公司 | DS3644N(现货) | 面议 |
深圳市优得利电子有限公司 | DS3644N | 面议 |
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北京金南轩电子有限公司 | DS3644N | 面议 |
汕头市优利达电子有限公司 | DS3644N(现货) | 面议 |
深圳市汇尔泰电子科技有限公司 | DS3644N | 面议 |
深圳市鸿盛越电子有限公司 | DS3644N(现货) | 面议 |