据外电报道，三星电子表示，该公司从2010年4月17日开始批量生产20纳米制程32GB多层单元（MLC）NAND闪存。
20纳米制程32GB多层单元NAND闪存的生产性，比30纳米制程高50%左右。三星电子在全球半导体行业率先投入到了量产。
三星电子相关负责人表示，公司同时开发20纳米制程32GB多层单元专用controller，确保了与30纳米级NAND闪存相同的稳定性。
三星电子的20纳米制程NAND闪存将先用于手机存储卡SD卡。
此外，2010年2月公布开发20纳米制程64GBNAND闪存的海力士半导体，计划于2010年第三季度投入量产，英特尔和Micron合资组建的IMFlash技术有限责任公司则将于第二季度开始批量生产。
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