NTT成功开发基于Novel设计的单电子通道设备

    据海外最新消息，美国国家标准和技术局(NI半导体)表示，来自NTT集团的工程师们已经开发出了一种新型的硅晶体管（silicon transistor），此产品基于Novel公司设计可以受单独电子运动控制。

    美国国家标准和技术局表示，这一设备目前还处于实验阶段，但工程师们将找到该设备在下一代集成电路逻辑运作中的作用。

    这一新型硅晶体管在今年1月30日被知名杂志《Applied Physics Letters》首先报道，并被冠以单电子通道设备（SET）的类别。

    该硅晶体管由外覆绝缘层的金属线构成，能够提供控制电流的能力。处于负极电压时，此硅晶体管将断电；而在高电压情况下，此硅晶体管将通电并让单电子流通。

    理论上基于硅的设备将让装配过程能够使用标准的ST工艺，但直到NTT集团的单电子通道设备被报道出来后，这一情况才成为了现实。

    NTT集团制定了五种统一规格，以让硅晶体管能够与可调式电阻协同工作。根据美国国家标准和技术局所说，该硅晶体管拥有360纳米长30纳米宽带三个门的传输通道，每个门有两层，上层负责开关，下层负责在内部小区域内控制电流。

（源自：硅谷动力）