三星开发出512M的DDR2 SDRam存储芯片

    韩国电子巨头三星电子公司日前宣称，他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512Mb DDR2 SDRam存储芯片，这也是目前存储芯片制造领域内的最精细的微处理技术。

　　三星电子称，采用70nm工艺生产的512Mb DDR2 SDRam存储芯片，是当前80nm 和 90nm处理工艺的延续。但目前采用70nm处理工艺的每个晶圆上的芯片数量至少要比采用90nm工艺所包含的芯片数量多出一倍。新的生产工艺采用了三星的金属绝缘层金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)技术以及被称为“三维晶体管技术——凹道排列晶体管(recess channel array transistor，RCAT)”3D构架技术。

　　这些技术的采用确保了70nm 512Mb DRam芯片克服了DRam体积大的缺点以及提高了数据的更新恢复功能，70nm 工艺技术是继三星2002年首次推出sub-micron处理技术和2003年推出80nm处理工艺后，再次在存储技术上取得的新突破。

　　三星公司称，预计在2006年的下半年，推出采用70nm 工艺生产的容量分别为512Mb、1Gb和2Gb的存储产品。

　　市场调研机构 Gartner Dataquest之前发表的一份调查报告中称，今年全球DRam芯片市场的收入在262亿美元左右，而到2008年，全球DRam芯片市场的收入将291亿美元。工艺生产的512Mb DDR2 SDRam存储芯片，是当前80nm 和 90nm处理工艺的延续。但目前采用70nm处理工艺的每个晶圆上的芯片数量至少要比采用90nm工艺所包含的芯片数量多出一倍。

　　新的生产工艺采用了三星的金属绝缘层金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)技术以及被称为“三维晶体管技术——凹道排列晶体管(recess channel array transistor，RCAT)”3D构架技术。

　　这些技术的采用确保了70nm 512Mb DRam芯片克服了DRam体积大的缺点以及提高了数据的更新恢复功能，70nm 工艺技术是继三星2002年首次推出sub-micron处理技术和2003年推出80nm处理工艺后，再次在存储技术上取得的新突破。

　　三星公司称，预计在2006年的下半年，推出采用70nm 工艺生产的容量分别为512Mb、1Gb和2Gb的存储产品。市场调研机构 Gartner Dataquest之前发表的一份调查报告中称，今年全球DRam芯片市场的收入在262亿美元左右，而到2008年，全球DRam芯片市场的收入将291亿美元。

（源自：硅谷动力）