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三星半导体CEO称:闪存芯片将最终取代现有硬盘

【中发报道】三星半导体业务总裁兼CEO黄昌圭表示,硬盘的存在已经超过了其预期使用期限,它将被闪存最终取代。

  三星半导体新近推出了容量达16G,采用50 nm技术的NAND闪存芯片,黄指出,“NAND闪存技术以平均每12个月递增一倍的速度持续增长。”,黄的说法意味着该公司推出的16G闪存芯片将从诸如PDA和MP3播放器等手持设备的使用中将转到笔记本电脑的硬盘驱动器上。

  黄称,基于16G闪存芯片的32G笔记本用存储卡将于2006年底或2007年面世。因为在2006年下半年,三星半导体将大规模推出这一新闪存芯片产品。50微米工艺意味着闪存存储每比特仅耗用0.00625平方微米的大小,这比原先60微米工艺减少了25%。

  明年,如果三星按计划推出新产品,那么市面上将出现32G的NAND芯片,而在2007年,将出现128G的存储卡,到那时,NAND闪存将覆盖台式机市场。

  与笔记本硬盘不同的是,笔记本的闪存存储不会造成机械震荡,但闪存芯片也有一个可读写的时间期限,它不可能永久读写。此外,闪存存储还要解决的问题包括价格和用电消费问题。 

(源自:中财网)

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