三星最近宣布开发出了业界首款256Mb的Pseudo SRAM，三星将其称作UtRAM，主要用于高性能移动产品(比如3G手机等)。
据介绍，这款产品的工作频率133MHz，而以往的Pseudo SRAM产品的频率只有80MHz。Pseudo SRAM内存是一种低功耗技术，以DRAM为数据储存架构，采用SRAM的I/O与控制接口。目前Pseudo SRAM的主流容量为64Mb。这款芯片采用三星的90nm制造工艺，样品生产将在9月底开始，年底量产。这款产品将采用单芯片封装或MCP形式。
（来源：国际电子商情）
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