懋科技新推12款MOS整流器 实现双倍功率密度

竹懋科技(CITC)宣布推出12款新型表面粘着式MOS整流器(MOS Rectifier)，该产品采用高热效和小巧的TO-277封装，具有卓越的超低热阻效能，能减少40%的占位面积，实现双倍的功率密度。

竹懋科技表示新型表面粘着式MOS整流器(MOS Rectifier)是专为下一代智能手机和平板电脑充电器所设计，其额定电流涵盖5A~15A，额定电压涵盖45V~120V，最大额定结温达到摄氏175度，额定雪崩(Avalanche)也比采用Dpak封装的Schottky二极管高出50%。

MOS整流器(MOS Rectifier)具备超低正向电压和超低反向漏电流，能容忍较高的脉冲电流和较高的工作温度，实现更高的功率耗散和浪涌效能，

确保传导损耗被最小化，从而提高了充电效率。在较高的温度低反向漏电意味着阻塞模式损失也减少，避免热失控的风险，提高产品可靠性。

竹懋科技(CITC)自行开发的TO-277封装尺寸只有6.5*1.86*1.15毫米，只有Dpak封装的一半，因此有助设计人员为终端应用中的小巧电源缩减电路面积及提高功率密度。MOS整流器(MOS Rectifier)的电气性能，结合低热阻的紧凑型TO-277封装，对热传导进行了优化，使更小，更薄的充电器的设计得以实现，其应用范围包括笔记簿型电脑的电源配接器、智能手机充电器、万用充电器和电讯设备的电源等，是电源输出级中理想的输出二极管元件。