Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器

2019年2月26日， 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations今日推出SIC1182K SCALE－iDriver^鈩� —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅（SiC） MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压，来满足市售SiC－MOSFET的需求；其主要应用包括不间断电源（UPS）、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。

SIC1182K可在125°C结温下提供8 A驱动，因此可在不使用推动级的情况下支持输出功率在数百千瓦以内的SiC－MOSFET逆变器设计。这样将提高系统效率，客户只需完成一个设计即可覆盖整个产品阵容中不同额定功率的逆变器。开关频率高达150 kHz，可支持多种应用。

SCALE－iDriver SIC1182K SiC门极驱动器采用Power Integrations的高速FluxLink^鈩�通信技术，可大幅增强绝缘性能。FluxLink是一项革新性的信号传输技术，它可取代光耦器和电容性或硅基方案，显著提高可靠性并提供1200 V加强绝缘。SCALE－iDriver器件还集成了多项对系统至关重要的保护特性，例如退饱和监控和电流检测读出、原方和副方欠压保护（UVLO）以及高级有源钳位（AAC）。此外，保护电路还可以在5微秒内提供安全关断，满足SiC器件的快速保护需求。SIC1182K SiC门极驱动器还具有较强的外部磁场抗扰性能，其封装可提供≥9．5 mm的爬电距离和电气间隙，并且所采用的材料达到了IEC60112标准的最高CTI级 —— CTI600。

Power Integrations门极驱动器产品高级市场总监Michael Hornkamp表示：“碳化硅MOSFET技术开启了减小尺寸和重量的大门，并且还可以降低电源系统的损耗。SCALE－iDriver产品系列采用FluxLink^鈩�技术，可设计出外围元件数非常少且性能安全的高性价比逆变器，确保功能安全、封装尺寸更小和效率更高。”

SCALE－iDriver技术可大幅减少所需的外围元件数，并降低BOM成本；不需要使用钽电容或电解电容，只需要一个副方绕组即可。可以使用双层PCB来进一步简化设计、减少元件数和简化供应链管理。

Power Integrations的SCALE－iDriver SIC1182K SiC门极驱动器符合1000 V以下低压设备IEC60664－1绝缘配合标准以及IEC61800－5－1电机驱动变频器标准。新器件即将进行UL 1577安全标准的1分钟内5 kVAC瞬间绝缘耐电压等级认证，VDE0884－10认证正在进行中。

该器件现已开始供货，以10，000片为单位订货，单价为4．65美元。