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晶体管的h参数介绍

在合理设置静态工作点和输入为交流小信号的前提下,晶体管可等效为一个线性双端口电路。如图Z0212所示。

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晶体管的端口电压和电流的关系可表示为如图Z0213所示。

h 参数的定义如图Z0213。

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hie、hre、hfe、hoe 这4个参数称为晶体管的等效h 参数,它们的物理意义为:

hie称为输出端交流短路时的输入电阻,简称输入电阻。它反映输出电UCE不变时,基极电压对基极电流的控制能力,习惯上用RbE表示。

hre称为输入端交流开路时的反向电压传输系数,又称内部电压反馈系数。它反映输出电压uCE通过晶体管内部对输入回路的反馈作用,它是一个无量纲的比例系数。

hfe称为输出端交流短路时的电流放大系数,简称电流放大系数。它反映基极电流IB对集电极电流IC的控制能力,即晶体管的电流放大能力,是一个无量纲的数,习惯上用β表示。

hoe称为输入端交流开路时的输出电导,简称输出电导。它反映当IB不变时,输出电压uCE对输出电流的控制能力。单位是西门子(S),习惯上用1/RCE,表示。可见,这四个参数具有不同的最纲,故称为混合(HybRId)参数,记作h 。h参数第一个下标的意义为:I表示输入,R表示反向传输,f表示正向传输,o表示输出;第二个下标E表示共射接法。在使用时应当明确:

(1) 4个h参数都是微变电流与微变电压之比,因此,h参数是交流参数。

(2) 4个h参数都是在Q点的偏导数,因此,它们都和Q点密切相关,随着Q点的变化而变化;

(3) h参数是晶体管在小信号条件下的等效参数。

h参数可以从晶体管的特性曲线上近似求得,也可以用人h参数测试仪直接测出。对一般小功率晶体管,h参数的数量级如图Z0213所示。

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责任编辑:张明