通过替换成Mo或MoCu基板提高LED芯片散热设计方案

　　在“第3届新一代照明技术展”上，攀时日本(PLANSEE Japan)展出了用于替换嵌入LED结构的蓝宝石基板的钼(Mo)基板及钼铜(MoCu)基板等产品。

　　据了解，通过替换成Mo基板或MoCu基板，可提高LED芯片的散热性能，而且有助于实现LED芯片的高功率化及高效率化。据介绍，目前从事厂商正在讨论导入该产品。

　　下面就介绍一下替换基板的LED芯片制造工艺。

　　首先，在蓝宝石基板上使GaN系半导体结晶外延生长，然后将Mo基板或MoCu基板粘贴在GaN系半导体结晶上。

　　随后揭下蓝宝石基板，切割成LED芯片。将蓝宝石基板替换成其他基板的技术已用于部分蓝色LED芯片，但攀时日本表示，采用Mo基板目前只限于紫外LED芯片。这是因为使用激光划片(Laser Dicing)方法将利用Mo基板等替换的LED晶圆切割成LED芯片时的速度较慢。“如果是蓝宝石基板，激光划片的速度为100mm/s，而Mo基板却仅为25mm/s”(该公司解说员)。因此，很难提高LED芯片的生产效率，不适于生产供货量较多的蓝色LED芯片。

　　不过，由于激光划片的技术不断提高，因此近期很可能在生产蓝光LED芯片等时采用Mo基板进行大量生产。