总结Samsung SDRAM的命名法则

   Samsung

    1. Memory （K）

    2. DRAM : 4

    3. Small Classification

    S : SDRAM

    4~5. Density,Refresh

    16 : 16M, 2K/32ms

    28 : 128M, 4K/64ms

    51 : 512M, 8K/64ms

    56 : 256M, 8K/64ms

    64 : 64M, 4K/64ms

    1G : 1G, 8K/64ms

    6~7. Organization

    04 : x4

    06 : x4 Stack

    07 : x8 Stack

    08 : x8

    16 : x16

    32 : x32

    8. Bank

    2 : 2 Bank

    3 : 4 Bank

    9. Interface, VDD, VDDQ

    2 : LVTTL, 3.3V, 3.3V

    L : LVCMOS, 2.5V, 2.5V

    10. Generation

    M : 1st Generation

    A : 2nd Generation

    B : 3rd Generation

    C : 4th Generation

    D : 5th Generation

    E : 6th Generation

    F : 7th Generation

    G : 8th Generation

    H : 9th Generation

    I : 10th Generation

    J : 11th Generation

    K : 12th Generation

    N : 14th Generation

    11. “—”

    12. Package

    N : STSOP2

    T : TSOP2

    U : TSOP2 （Lead-Free）

    V : STSOP2 （Lead-Free）

    13. Temp, Power

    C : Commercial, Normal （ 0℃ ~ 70℃ ）

    L : Commercial, Low （ 0℃ ~ 70℃ ）

    I : Industrial, Normal （ -40℃ ~ 85℃）

    P : Industrial, Low （ -40℃ ~ 85℃）

    E : Extended, Normal （ -25℃ ~ 85℃）

    N : Extended, Low （ -25℃ ~ 85℃）

    Samsung

    14~15. Speed （ Wafer / Chip Biz / BGD : 00 ）

    50 : 5ns

    55 : 5.5ns

    60 : 6ns

    70 : 7ns

    75 : 7.5ns, PC133

    80 : 8ns

    16. Packing “Packing Type Reference”

    - Common to all products, except of Mask ROM

    - Divided into TAPE & REEL（In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately）

    17~18. Customer “Customer List Reference”Samsung