随着技术的发展，开关电源模块LED的效率有了非常大的进步。在不久的未来LED会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造LED晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓(GaN)基的晶圆(外延片)，开关电源模块晶圆所需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气H2或氩气Ar等惰性气体作为载体之后，按照MTD2002制程的要求就可以逐步把晶圆做好。接下来是对LED-PN结的两个电极进行加工，并对LED毛片进行减薄，划片。然后对毛片进行测试和分选，就可以得到所需的LED晶粒。具体的MTD2002工艺做法，不作详细的说明。
首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的晶圆，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积晶圆炉(MOCVD)中完成的。准备好制作开关电源模块GaN基晶圆所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照MTD2002工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而MTD2002控制镀膜成分、晶相等质量。MOCVD外延炉是制作开关电源模块LED外延片最常用的设备。
然后是对LED PN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作开关电源模块LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对LED毛片进行划片、测试和分选，就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不够干净，蒸镀系统不正常，会导致蒸镀出来的金属层(指蚀刻后的电极)会有脱落，MTD2002金属层外观变色，金泡等异常。
蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定开关电源模块芯片，因此会产生夹痕(在目检必须挑除)。黄光作业内容包括烘烤、上光阻、照相曝光、显影等，若MTD2002显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。
开关电源模块晶粒在前段制程中，各项开关电源模块制程如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必须使用MTD2002镊子及花篮、载具等，因此会有MTD2002晶粒电极刮伤情形发生。
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