DS18B20的一线工作协议流程是：初始化→ROM操作指令→存储器操作指令→数据传输，其工作时序包括：初始化时序、写时序、读时序。
初始化时序
DS18B20初始化时序
主机首先发出一个480-960微秒的低电平脉冲，然后释放总线变为高电平，并在随后的480微秒时间内对总线进行检测，如果有低电平出现说明总线上有器件已做出应答，若无低电平出现一直都是高电平说明总线上无器件应答。
作为从器件的DS18B20在一上电后就一直在检测总线上是否有480-960微秒的低电平出现，如果有，在总线转为高电平后等待15-60微秒后将总线电平拉低60-240微秒做出响应存在脉冲，告诉主机本器件已做好准备，若没有检测到就一直在检测等待。
对DS18B20的写和读操作
接下来就是主机发出各种操作命令，但各种操作命令都是向DS18B20写0和写1组成的命令字节，接收数据时也是从DS18B20读取0或1的过程，因此首先要搞清楚主机是如何进行写0、写1、读0和读1的。
写周期最少为60微秒，最长不超过120微秒，写周期一开始作为主机先把总线拉低1微秒表示写周期开始，随后若主机想写0，则继续拉低电平最少60微秒直至写周期结束，然后释放总线为高电平；若主机想写1，在一开始拉低总线电平1微秒后就释放总线为高电平，一直到写周期结束。而作为从机的DS18B20则在检测到总线被拉低后等待15微秒然后从15μs到45μs开始对总线采样，在采样期内总线为高电平则为1，若采样期内总线为低电平则为0。
DS18B20写操作
对于读数据操作时序也分为读0时序和读1时序两个过程，读时序是从主机把单总线拉低之后，在1微秒之后就得释放单总线为高电平，以让DS18B20把数据传输到单总线上。DS18B20在检测到总线被拉低1微秒后，便开始送出数据，若是要送出0就把总线拉为低电平直到读周期结束；若要送出1则释放总线为高电平。主机在一开始拉低总线1微秒后释放总线，然后在包括前面的拉低总线电平1微秒在内的15微秒时间内完成对总线进行采样检测，采样期内总线为低电平则确认为0，采样期内总线为高电平则确认为1，完成一个读时序过程，至少需要60μs才能完成。
DS18B20读操作
DS18B20单线通信功能是分时完成的，有严格的时序概念，如果出现序列混乱，1-WIRE器件将不影响主机，因此读写时序很重要。系统对DS18B20的各种操作必须按协议进行，根据DS18B20的协议规定，微控制器控制DS18B20完成温度的转换必须经过以下4个步骤：
（1）每次读写前对DS18B20进行复位初始化。复位要求主CPU将数据线下拉500μs，然后释放，DS18B20收到信号后等待16μs-60μs左右，然后发出60μs-240μs的存在低脉冲，主CPU收到此信号后表示复位成功。
（2）发送一条ROM指令
（3）发送存储器指令
DS18B20存储器指令集
让DS18B20进行一次温度转换的具体操作如下：
1、主机先做个复位操作；
2、主机再写跳过ROM的操作（CCH）命令；
3、然后主机接着写转换温度的操作指令，后面释放总线至少1秒，让DS18B20完成转换操作。需要注意的是每个命令字节在写的时候都是低字节先写，例如CCH的二进制为11001100，在写到总线上时要从低位开始写，写的顺序是“0、0、1、1、0、0、1、1”，整个操作的总线状态如图所示。
读取RAM的温度数据，同样，这个操作也要按照三个步骤：
1、主机发出复位操作并接受DS18B20的应答（存在）脉冲；
2、主机发出跳过对ROM操作的命令（CCH）;
3、主机发出读取RAM的命令（BEH），随后主机依次读取DS18B20发出的从第0-第8，共九个字节的数据。如果只想读取温度数据，那在读完第0和第1个数据后就不再理会后面DS18B20发出的数据即可，同样读取数据也是低位在前，整个操作的总线状态如图所示。
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