LTC4446:N沟道MOSFET驱动器

     描述

　　LTC4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4446 用于顶端栅极驱动器的上拉电路具有 2.5A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.2Ω 的输出阻抗。用于底端栅极驱动器的上拉电路具有 3A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 0.55Ω 的输出阻抗。

　　LTC4446 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。

　　LTC4446 包含欠压闭锁电路，用于在器件启动时停用外部 MOSFET。

　　LTC4446 采用耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装。

　　特点

　　●自举电源电压高至 114V

　　●宽 VCC 电压：7.2V 至 13.5V

　　●2.5A 峰值顶端栅极上拉电流

　　●3A 峰值底端栅极上拉电流

　　●1.2Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻

　　●0.55Ω 底端栅极驱动器下拉电阻

　　●5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载

　　●8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载

　　●3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载

　　●6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载

　　●可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET

　　●具欠压闭锁功能

　　●耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装

　　应用

　　●分布式电源架构

　　●汽车电源

　　●高密度电源模块

　　●电信系统