英飞凌是创新半导体解决方案的领先制造商。为了保持这一优势，2010年5月，英飞凌启动了“创新网”行动计划。这个计划涵盖英飞凌在全球各地的 创新活动，其目标是不仅推进产品创新，而且推进诸如开发、制造和物流等领域的创新。在这个计划之下，2010年11月22日至26日，在位于纽必堡的英飞 凌总部举行了“创新周”活动。“创新周”期间，来自所有部门的员工将交流思想、激发创意、建立并加强联系。演讲、专题讨论、研讨会和展览等一系列活动，将 把“创新周”推向高潮。
英飞凌科技股份公司管理委员会成员兼运营负责人ReinhardPloss博士表示：“英飞凌是半导体行业的创新领袖之一。英飞凌的汽车电 子、工业电子与多元化市场以及芯片卡与安全等事业部拥有世界一流的技术实力。创新，不仅是产品创新，而且包括技术、制造工艺和物流过程等领域的创新，是我 们在经济上取得成功的基础。‘创新网’计划和‘创新周’活动将推进英飞凌的创新步伐，进一步增强我们在提供性能出众、价格实惠的产品方面的优势。”
继德州仪器(TI)积极导入12寸晶圆厂以扩大类比市场占有率后，在电源晶片市场同样举足轻重的英飞凌(Infineon)也已悄悄启动12寸晶圆量产研发计画，希望将电源晶片的生产由目前8寸厂升级至12寸厂，以因应市场持续高涨的节能需求，并巩固既有市场地位。
台湾英飞凌副总裁暨执行董事詹启祥指出，超接面MOSFET将是未来功率半导体市场的主流。
台湾英飞凌副总裁暨执行董事詹启祥表示，该公司已在奥地利展开12寸晶圆量产研发工作，主要将用于超接合(SuperJunction)技术的金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)等功率半导体元件的生产，一旦相关发展成熟后，将可移植至马来西亚的晶圆厂进行量产。
由于超接面MOSFET可较传统平面式(Planar)MOSFET在相同尺寸的裸晶(Die)上实现更低的导通电阻与切换损失，进而提升每单位面积的功率密度，因此，在节能意识抬头的市场环境中，重要性与日俱增，产品渗透率也节节攀升。
不过，与平面式电源相比，目前超接面MOSFET产品价格仍偏高，所以英飞凌所推行的12寸晶圆量产计画，将有助进一步降低超接面MOSFET成本，为该市场的起飞预先作好准备。詹启祥分析，尽管目前传统平面式MOSFET的市场规模仍占大宗，但未来超接面MOSFET方案将会快速放量成长，两者将呈现明显的消长态势。
位于奥地利菲拉赫(Villach)的英飞凌奥地利分公司，是英飞凌极为重要的研发和制造中心，规模仅次于德国总部与马来西亚分公司，专精于应用在汽车和工业暨多重市场的能源效率方案开发，并致力以低转换损失的功率半导体实现系统的微型化和高能效发展；此外，感测器和非接触式安全MOSFET亦是另一研发重点。
詹启祥强调，历经有线与无线事业部门的切割后，现今的英飞凌已处于最佳的发展状态，产品组合也更为聚焦，尤其是功率半导体、绝缘栅双极电晶体(IGBT)及碳化矽(SiC)萧特基二极体等方案，更是该公司最自豪的优势，对汽车和工业暨多重市场的拓展，将是莫大的助益。
据了解，英飞凌于2010年会计年度的研发费用高达3亿9,900万欧元，占总体营收比重的25%，较2009年会计年度的1亿9,500万欧元(占总营收约22%)大幅攀升。
英飞凌也非常重视科学理论与实践的紧密结合，因为要具有真正的创新能力，必须努力取得最新研究成果。在傍晚举办的大学专场会上，来自慕尼黑科技大学的 DorisSchmitt-Landsiedel教授和UlfSchlichtmann教授，以及来自德国汉堡联邦国防大学的IgnazEisele教 授，将与英飞凌汽车电子事业部的系统活动负责人HansAdlkofer和英飞凌开发与创新工业晶片部负责人GerhardMiller博士一同探讨，今 后十年内微电子行业将要面临的挑战。此外，他们还将在这个框架之下，探讨新的创意和合作项目。
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