高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器FOD3184特性及应用

      FOD3184是一款输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器产品。FOD3184由铝砷化镓(AIGaAs)发光二极管和集成在电路功率级中带有PMOS和 NMOS输出功率晶体管的CMOS检测器以光学方式耦合构成，PMOS上拉晶体管具有低 RDS(ON)，能够降低内部功耗和提供接近轨对轨输出电压摆幅能力。该器件具有高抗噪能力，最低共模噪声抑制比(CMR)为35kV/?s，适合嘈杂的工业应用。

　　FOD3184采用8脚双列直插封装，提供>8.0mm的爬电距离(creepage)和电气间隙，可配合安全机构至关重要的终端应用要求。此外，封装符合无铅焊接标准对260uC回流焊工艺的要求，FOD3184具有1,414V的额定工作电压(VIORM)，能够驱动1,200V负载，并保持长期可靠的隔离性能。

　　特性：

　　该器件适用于工作频率高达250kHz的功率 MOSFET和IGBT的高频驱动，相比常用的FOD3120栅极驱动器，新器件的传输迟延时间缩短了50%，功耗降低了13%。

　　FOD3184还具有15V至30V宽VCC工作电压范围 、3A最大峰值输出电流，并确保-40?C至+100?C的工作温度范围。还具有专为驱动IGBT而优化的带有迟滞作用的欠压锁定(UVLO)保护功能。

　　应用：

　　●等离子显示器面板

　　●高性能直流/直流转换器

　　●高性能开关电源

　　●高性能不间断电源

　　●隔离式功率MOSFET / IGBT栅极驱动器