富士通展示GaN功率晶体管的直径150mm的硅晶圆

    富士通半导体在“CEATECJAPAN2010”（2010年10月5～9日，幕张Messe会展中心）上，展示了集成GaN功率晶体管的直径150mm的硅晶圆。在该元件量产线所在的会津若松市的工厂中进行了试制。面向2012年的正式量产，将于2011年上半年开始样品供货。

    此次开发的GaN功率晶体管以在GaN类材料的异质架构上形成的HEMT（高电子移动度晶体管）为原型。通过像电源一样导入栅极绝缘膜，实现了常闭化。元件的耐压为700V级，电流容量为20～40A。能在最高200℃的高温下工作。

    富士通半导体计划首先面向富士通制造的服务器中使用的开关MOSFET量产此次的GaN功率晶体管。与此同时也将面向海外销售。GaN功率晶体管的优点是不仅可用于服务器，“还可用于个人电脑”（富士通半导体的解说员）。例如，个人电脑用的DC-DC转换器上的耐压30V的元件，其运行速度、耗电量和芯片面积等均优于Si-MOSFET。

    富士通半导体计划在GaN功率晶体管的量产中最初使用直径150mm的硅晶圆，之后再加大到200mm以上。将来“还要使用300mm的生产线”（解说员）。（记者：大下淳一）