高存储密度的DDR3解决方案

　　赛普拉斯半导体公司的子公司AgigA技术公司日前宣布，推出业界最高存储密度的DDR3解决方案，成为其无需电池供电的高速非易失性RAM系列产品中新的一员。AGIGARAM™非易失性产品系列中的这一新解决方案可提供高达8GB的存储密度，从而为系统架构师和设计者提供了充分的灵活性，可以专为某些特定应用需求量身定制非易失性存储器。AgigA技术公司曾在业界率先推出1GB非易失性DDR3解决方案，现在更是锦上添花，用这些新产品扩充了其业界最宽的无需电池供电的非易失性存储产品系列。

　　AGIGARAM系列产品在一个高可靠非易失性系统中融入了NAND闪存、DRAM以及一个无需电池供电的超大电容电源。当用于企业级应用中的写缓冲时，AGIGARAM可提供一种可提升性能的构建模块，同时防止由于断电而引起的重要数据丢失。DDR3产品的数据传输速率可达1333 MT/s（每秒百万次传输）。AgigA技术公司提供独特的产品支持以提升可靠性，包括在专用实验室内进行的严格的超大电容测试、系统内的健康状况监控、一项系统安全性控制协议，以及覆盖整个系统生命周期的产品质量保证。

　　AgigA公司CEO Ron Sartore说：“AgigA技术公司专注于为客户提供高可靠非易失性存储解决方案。AGIGARAM系列中的最新产品可提供DDR3-1333性能，以及无忧的数据保护功能，从而展示了我们在市场上的领先水平。”

　　由于有了赛普拉斯的nvSRAM技术，AGIGARAM系统将非易失性解决方案提升至更高的密度。而采用电池供电的较差的替代方案虽然也可以实现高速度，但会有许多问题，例如有害物质、增加设计复杂性、充电时间长、有限的运营寿命以及高拥有成本。

　　AGIGARAM系统通过一种新型采用无需电池供电的子系统，以及高速SDRAM、NAND闪存、智能电源管理以及一个专用系统控制器而解决了这些问题。在正常运行期间，AGIGARAM系统对于主系统而言就如同一个以DDR3注册的DIMM，具有标准高速高密度SDRAM的所有优点和速度。一旦遇到断电的情况，AGIGARAM系统即可接受指令控制SDRAM，依靠超大电容供电，将其内部的信息传输至闪存，从而保存了所有的SDRAM数据。恢复供电后，AGIGARAM系统又可以接受指令，将内容传递回SDRAM，并将控制权交回给主系统。这一功能可用于需要防止供电中断/损失的场合、写缓存和发布、数据记录和日志、瞬时开机恢复，以及服务和维护处理。

　　AgigA技术公司在闪存峰会
　　AgigA技术公司将参加8月17~19日在美国加州Santa Clara市Santa Clara会议中心举办的闪存峰会。AgigA技术公司将主办其中的几项活动：
 参展商展示区219号展位—AgigA技术公司将现场演示AGIGARAM系统。
 作为论坛F1A的一部分，AgigA技术公司高级技术人员Lane Hauck将于8月17日上午11:05做主题为“采用超级电容实现可靠的基于闪存的缓存”的演讲。
 技术合作伙伴Altera公司将在参展商展示区的217展位上演示AGIGARAM。

　　供货情况
　　AGIGA8301 1GB DDR3-1333 AGIGARAM解决方案即将量产，样品已可提供给合格的客户。2 GB, 4 GB 和 8 GB AGIGA8401 DDR3-1333 AGIGARAM解决方案将于本季度晚些时候出样，并提供给优先客户，量产时间预计在2010年第四季度。AGIGA8401 和 AGIGA8301均有货，封装方式为240-pin 的RDIMM尺寸。