Toshiba推出C-BAND S半导体OM应用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，东芝美国电子元器件公司推出其功率放大器产品系列中的50W C频段氮化镓（GaN）频率高电子迁移晶体管（HEMT）。
Toshiba 的50W TGI7785-50L是另一个商业C-频段用的GaN HEMT，用于卫星通信应用中，在2009年推出的还有120W C-频段放大器，和其它GaN Toshiba Ku-频段器件。
该新器件工作ATC为7.7GHz-8.5GHz。RF性能规范包括输出功率为47.0dBm （典型值） 以及输入功率为40dBm，线性增益为11.0dB （典型值），以及漏极电流为5.0Amps（典型值）。
该器件可提高输出功率，有助于在固态功率放大器（SSPA）中减少尺寸和重量，用于SATCOM中。
现可提供TGI7785-50L样品，批量生产预计于2010第三季度。
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