IPD2工艺技术用于便携电子设备中的射频系统级封装应用

　　安森美半导体（ON Semiconductor）推出新的集成无源元件（IPD）工艺技术--IPD2。这新工艺是公司增强既有的HighQ™硅铜（copper on silicon）IPD技术，第二层的铜层厚度仅为5微米（μm），增强了电感性能，提高了灵活性，配合设计高精度、高性价比的集成无源元件，用于便携电子设备中的射频（RF）系统级封装应用。

　　HighQ™ IPD2工艺是安森美滤波器定制代工部众多创新制造服务之一，采用先进的8英寸晶圆技术，典型设计包括平衡/不平衡转换器（balun）、低通半导体、带通滤波器和双工器，用于最新便携和无线应用。基于IPD2的设计为电路设计人员提供重要优势，如降低成本、减小厚度、小占位面积，以及更高性能（等同于延长电池使用时间）。

　　安森美半导体为其IPD2工艺技术提供全功能设计工具和设计支援，以及快速的原型制造能力，帮助潜在用户快速和高性价比地评估，不管他们复杂度较低的分立或集成印制电路板（PCB）方案、较厚也较昂贵的陶瓷方案，还是基于更昂贵的砷化镓金（Gold on Gallium Arsenide）的IPD是否适合转换至IPD2工艺。

　　安森美半导体定制代工部高级总监Rick Whitcomb说：“在高性价比、小尺寸和低插入损耗的平台上集成无源器件，能为电池供电便携电子产品设计人员提供极有用的方案。我们以全套设计工具和技术配合这新工艺，能够帮助客户以最短的时间和最大的信心，从效用相对较低的技术转换至我们的IPD2工艺。”