台湾联电称明年发展28纳米技术疑追赶台积电_新品上市

台湾联电称明年发展28纳米技术疑追赶台积电

2009-12-14 00:00 http://www.cecb2b.com 腾讯科技

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点评：要想在竞争中取胜，就要紧紧咬住对手，就不能被对手拉下太远，否则，就会处在永远追赶的不利局面。

台湾芯片代工厂商联电昨日在美国巴尔的摩所举办的2009国际电子组件会议上表示，将于2010年下半年推出28纳米制程，采用高K金属栅极技术的半导体产品。业内人士指出，联电此举是为了追赶自己的竞争对手台积电。

据悉，早前台积电曾宣布将在明年前三个季度分别开始试产28纳米高性能高K金属栅极、28纳米低功耗高K金属栅极和28纳米低功耗氮氧化硅三种新工艺产品。

台湾联电称明年发展28纳米技术 疑追赶台积电