英特尔意法半导体联手 开发新技术取代闪存

    英特尔和意法半导体（NEC）将公布联合开发计划，集闪存与RAM 优点于一体的存储技术正在向我们走来。

    EETimes 本周一报道称，英特尔和ST将在“超大规模集成电路技术研讨会”上宣读的一篇论文中阐述一项名为“相变存储器”（PCM ）的技术。

    PCM 集标准硅芯片技术和可重写光盘材料于一体，既具有闪存超长的数据保存时间，又具有标准DRAM高存取速度的特点。

    论文的摘要部分将高可靠性、良好的性能、较小的尺寸称作是PCM 的主要特性，并阐述了令人鼓舞的测试结果。英特尔、ST还将在PCM 的标准化方面进行合作，初期，它的目标市场将是手机和其它便携式产品。

    据ST称，容量达数GB的PCM 将采用0.045 或0.032 微米工艺、在2008年之后量产，样品的生产预计也在2007年之后。

    ST此前曾表示将在2005年生产出PCM 样品；英特尔此前曾表示，PCM 产品可能会采用0.022 微米工艺，这意味着它的量产将在2010年之后了。

    包括IBM 、三星、ST 、BAE 在内的其它许多公司也在积极地开发PCM 产品。据称，PCM 的使用寿命可以达到10万亿次，远远超过闪存的10万次。它可能会取代闪存。
 

（源自：和讯网）