英特尔展示45纳米芯片 漏电率降低五倍

    英特尔公司日前宣布成为首家在45纳米 (45-nanometer)逻辑制程技术上达到重大里程碑的业者。英特尔已经运用最新45纳米制程技术生产出据第一颗全功能的静态随机存取内存 (SRAM)芯片。45纳米制程是英特尔下一代可量产的半导体制程技术。

　　这项里程碑意谓英特尔达成了预期目标，将于2007年开始以12吋晶圆制造新芯片，并且持续实践摩尔定律，以每两年的时程发表新世代制程技术。目前英特尔运用65纳米制程技术量产半导体组件，已有亚历桑那州与俄勒冈州两座晶圆厂生产65纳米芯片，爱尔兰与俄勒冈州的另外两座晶圆厂也将于今年稍后开始启动生产线。

　　英特的45纳米技术将提供发展基础，协助业界推出具备更高性能/功率比 (performance per watt)的电脑，这种尖端制程技术将让芯片的漏电率比现今芯片降低五倍以上。这将有助于提高行动装置的电池续航力，给予业者更多机会开发体积更小、性能更强的平台。

　　每一个45纳米SRAM芯片内含超过10亿个晶体管。虽然SRAM并非英特尔的产品线，但它成功地示范了推动采用45纳米制程的处理器以及其它逻辑芯片时，所需要的技术性能、制程良率、以及芯片的可靠度。在迈向量产全球最精密组件的进程上，这是关键性的第一步。

　　英特尔除了宣布位于俄勒岗州的D1D晶圆厂正开始发展45纳米制程技术的产能，同时还指出正在兴建位于亚历桑那州的Fab 32，以及以色列的Fab 28晶圆厂，这两座高产能晶圆厂都将运用45纳米制程技术生产芯片。

（源自：天极网）