英特尔计划在本周展示一种原型晶体管产品，将有助于摩尔定律和整个半导体产业在下个十年继续发展。这种晶体管和传统晶体管在结构上相似，但与传统晶体管不同的是，沟道的材料不再是硅，而是铟- 锑化合物。 铟、锑与硅的有些性质相似，但有些不同。
英特尔表示，利用铟- 锑化合物取代硅将使晶体管的能耗降低10倍，性能提高50%。同样重要的是，铟、锑能够被“嫁接”到现有的成熟生产工艺中，这使得这类晶体管与碳纳米晶体管等概念晶体管相比，更容易进行大规模生产，而且更具经济性。
英特尔的一名发言人表示，由这种晶体管制造的芯片将在2015年问世。目前，这种原型晶体管被“放置”在砷化镓基层上，下一步英特尔将采用硅基层。
英特尔此前曾表示，元素周期表中III-V 元素是延长摩尔定律寿命的好主意之一。过去，芯片厂商主要通过缩减晶体管尺寸实现晶体管数量翻番和性能提高的，但是，晶体管尺寸越小，电流泄露和散热问题就越严重，这也促使研究人员考虑采用新材料和新结构。
（源自：搜狐IT）
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